Intel и Micron начали выпуск образцов памяти MLC NAND 50 нм

IM Flash Technologies, cовместное предприятие Intel и Micron Technology, выпустило опытные образцы многоуровневой (Multi-Level Cell, MLC) флэшпамяти NAND, изготовленные по наиболее совершенной в индустрии технологии с уровнем детализации 50 нм.

Устройства емкостью 16 Gb дополнят анонсированные ранее SLC-продукты (Single-Level Cell) этих компаний, которые в настоящее время уже поставляются и вмещают до 4 Gb данных.

Помимо мощностей Micron в Буасе (штат Айдахо) и Манассас (штат Вирджиния), IM Flash с февраля 2007 г. использует для выпуска памяти 300-миллиметровую фабрику в г. Лехай (штат Юта), полностью зарезервированную под нужды совместного предприятия.